安森美半導體推出新的多芯片模塊PWM
 

2018年6月26日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制（PWM）降壓轉(zhuǎn)換器。

安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結(jié)合經(jīng)歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和強固的故障保護。安森美半導體集成了PowerTrench® MOSFET技術(shù)，以創(chuàng)建一種強固的集成方案，為DC-DC應用提供業(yè)界的功率密度和能效。

FAN65008B//4B PWM 降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合安森美半導體的PowerTrench MOSFET工藝與業(yè)界的封裝技術(shù)在一個四方扁平無引線（PQFN）封裝中，提供電源路徑上極低的寄生效應，使開發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效，比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更好的電磁干擾（EMI）。

這三個器件都支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，適用于工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的廣泛應用，從基站電源到家庭自動化。它們也適用于電池管理系統(tǒng)，以及USB供電(PD)應用。集成兩個LDO和一個片上電源路徑開關(guān)使設(shè)計人員能靈活地使用電源路徑從輸入電壓、降壓轉(zhuǎn)換器輸出或通過PVCC引腳為控制器供電。

高集成度使制造商可以采用FAN6500x系列在功率密度、物料單（BoM）成本、性能和靈活性之間取得適當?shù)钠胶狻０采腊雽w通過充分利用PowerTrench MOSFET技術(shù)，成功地解決開發(fā)人員期望電源管理方案可提供的關(guān)鍵特性。

FAN6500x系列實現(xiàn)了一系列全面的功能以保護器件本身和任何下游電路不受損害。這些保護功能包括可調(diào)過流保護、熱關(guān)斷、過壓保護和短路保護。

安森美半導體移動、計算和云分部副總裁Richard Lu說：“隨著FAN6500X系列器件的發(fā)布，安森美半導體已生產(chǎn)了一系列強固的方案，以業(yè)界的能效、功率密度和靈活性幫助客戶滿足他們的中壓DC-DC需求。”

安森美半導體提供配套的評估板（FAN65004B-GEVB、FAN6500-GEVB和FAN65008B-GEVB）。請您的安森美半導體銷售代表以申請評估板。